第三代半导体器件制备及评价全球彩平台网页版取得突破
发布日期:2018-09-10        



以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

 

“十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价全球彩平台网页版”项目。近日,科技部高新司在全球彩票组织召开项目验收会。

 

项目重点围绕第三代半导体全球彩平台网页版中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装全球彩平台网页版,满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信全球彩平台网页版,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或全球彩平台网页版规范;制备出高性能SiC基GaN器件。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键全球彩平台网页版,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

 

“十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,将“战略先进电子材料”列为发展重点之一,以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心,以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点,推动跨界全球彩平台网页版整合,抢占先进电子材料全球彩平台网页版的制高点。 

 


来源:SEMI
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